When a SOI substrate is produced a first silicon layer epitaxially grown on
the insulating underlay is ion implanted to make deep part of interface of
the silicon layer amorphous, and then annealed to recrystallize. Next, the
silicon layer is heat treated to oxidize part of the surface side, and
after the silicon oxide is removed by etching, a silicon layer is
epitaxially grown on the remaining first silicon layer to form a second
silicon layer. Subsequently, the second silicon layer is again ion
implanted to make deep part of interface amorphous, then annealing is
performed to recrystallize. With this method, a SOI substrate, which is
very small in crystal defect density of the silicon layer and good in
surface flatness, can be produced. Therefore, on the semiconductor
substrate an electronic device or optical device having high device
performance and reliability can be realized.
Quand un substrat de SOI est produit une première couche de silicium épitaxial développée sur l'assise isolante est ion implantée pour rendre la partie profonde de l'interface de la couche de silicium amorphe, et alors recuite pour recristalliser. Après, la couche de silicium est soumise à un traitement thermique pour oxyder une partie du côté extérieur, et après que l'oxyde de silicium soit éliminé par graver à l'eau-forte, une couche de silicium est épitaxial développée sur la première couche restante de silicium pour former une deuxième couche de silicium. Plus tard, la deuxième couche de silicium est encore ion implantée pour rendre la partie profonde de l'interface amorphe, recuisant alors est exécutée pour recristalliser. Avec cette méthode, un substrat de SOI, qui est très petit dans la densité en cristal de défaut de la couche de silicium et bon dans la planéité extérieure, peut être produit. Par conséquent, sur le substrat de semi-conducteur un dispositif électronique ou le circuit optique ayant l'exécution et la fiabilité élevées de dispositif peut être réalisé.
