A light emitting semiconductor device includes a silicon substrate and a
compound semiconductor layer disposed on a main plane of the silicon
substrate and represented by a general expression In.sub.x Ga.sub.y
Al.sub.z N, wherein x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, and
0.ltoreq.z.ltoreq.1. The silicon substrate has a groove having an oblique
plane corresponding to a plane inclined relative to the substrate's main
plane by 62 degrees or a plane inclined relative to the inclined plane in
any direction within three degrees, and on the oblique plane a plurality
or quantum well layers different in thickness are stacked.
Μια ελαφριά εκπέμποντας συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα υπόστρωμα πυριτίου και ένα σύνθετο στρώμα ημιαγωγών που διατίθενται σε ένα κύριο αεροπλάνο του υποστρώματος πυριτίου και που αντιπροσωπεύονται από μια γενική έκφραση In.sub.x Ga.sub.y Al.sub.z ν, όπου x+y+z=1, 0.ltoreq.x.ltoreq.1, 0.ltoreq.y.ltoreq.1, και 0.ltoreq.z.ltoreq.1. Το υπόστρωμα πυριτίου έχει ένα αυλάκι που έχει ένα πλάγιο αεροπλάνο που αντιστοιχεί σε ένα αεροπλάνο σχετικά με το κύριο αεροπλάνο του υποστρώματος από 62 βαθμοί που κλίνει ή ένα αεροπλάνο που κλίνουν σχετικά με το κεκλιμένο αεροπλάνο σε οποιαδήποτε κατεύθυνση μέσα σε τρεις βαθμούς, και στο πλάγιο αεροπλάνο μια πολλαπλότητα ή κβαντικά καλά στρώματα διαφορετική στο πάχος συσσωρεύεται.
