A low-cost high-property optical semiconductor element for a long
wavelength is provided, using a GaAs substrate. The optical semiconductor
element comprises a substrate of GaAs having a first surface and a second
surface opposite to each other, a buffer layer of In.sub.j Ga.sub.1-j
As.sub.1-k N.sub.k (0.ltoreq.j.ltoreq.1, 0.002.ltoreq.k.ltoreq.0.05)
formed on the first surface of the substrate, a first conductive type clad
layer formed on the buffer layer, an active layer formed on the first
conductive type clad layer and comprising a well layer of In.sub.z
Ga.sub.1-z As (0.ltoreq.z.ltoreq.1), the well layer having a smaller
bandgap than the first conductive type clad layer, the active layer having
a thickness of more than its critical thickness for the substrate based
upon equilibrium theories, and a second conductive type clad layer formed
on the active layer and having a larger bandgap than the well layer.
Een goedkoop element van de hoog-bezits optisch halfgeleider voor een lange golflengte wordt verschaft, gebruikend een GaAs substraat. Het optische halfgeleiderelement bestaat uit een substraat van GaAs die een eerste oppervlakte en een tweede oppervlakte tegengesteld aan elkaar heeft, een bufferlaag van In.sub.j ga.sub.1-J as.sub.1-K N.sub.k (0.ltoreq.j.ltoreq.1, 0.002.ltoreq.k.ltoreq.0.05) gevormd op de eerste oppervlakte van het substraat, een eerste geleidende type beklede laag die op de bufferlaag wordt gevormd, een actieve laag die op de eerste geleidende type beklede laag wordt gevormd en het bestaan van een uit putlaag van In.sub.z ga.sub.1-Z zoals (0.ltoreq.z.ltoreq.1), de putlaag een kleinere bandgap hebben dan de eerste geleidende type beklede laag, de actieve laag een dikte van meer dan zijn kritieke dikte voor het substraat hebben dat op evenwichtstheorieën wordt gebaseerd, en een tweede geleidende type beklede laag die een grotere bandgap dan de putlaag.
