A semiconductor device for reducing junction capacitance by an additional
low dose super deep source/drain implant and a method for its fabrication
are disclosed. In particular, the super deep implant is performed after
spacer formation to significantly reduce junction capacitance in the
channel region.
Μια συσκευή ημιαγωγών για την ικανότητα συνδέσεων με ένα πρόσθετο χαμηλό μόσχευμα πηγής/αγωγών δόσεων έξοχο βαθύ και μια μέθοδο για την επεξεργασία της αποκαλύπτεται. Ειδικότερα, το έξοχο βαθύ μόσχευμα εκτελείται μετά από το σχηματισμό πλήκτρων διαστήματος για να μειώσει σημαντικά την ικανότητα συνδέσεων στην περιοχή καναλιών.
