A method of manufacturing a contact of a semiconductor device includes a
series of pretreatment processes each performed in a plasma pretreatment
module. A semiconductor substrate has an interlayer formed on an
underlayer of a material containing silicon. A contact hole is formed in
the interlayer to expose a surface of the underlayer. Subsequently, the
semiconductor substrate is loaded into a plasma pretreatment module. The
photoresist pattern is removed by ashing in the plasma pretreatment
module. A damaged layer at the surface exposed by the contact hole is then
removed in the plasma pretreatment module. Subsequently, the semiconductor
substrate is pre-cleaned in the plasma pretreatment module. The
semiconductor substrate is then transferred, while in a vacuum, to a
deposition module. There, an upper layer is formed on the substrate to
fill the contact hole.
Eine Methode der Produktion eines Kontaktes eines Halbleiterelements schließt eine Reihe Vorbehandlungprozesse jede durchgeführt in einem Plasmavorbehandlungmodul ein. Ein Halbleitersubstrat hat eine Zwischenlage, die auf einem underlayer eines materiellen enthaltenen Silikons gebildet wird. Eine Kontaktbohrung wird in der Zwischenlage gebildet, um eine Oberfläche des underlayer herauszustellen. Nachher wird das Halbleitersubstrat in ein Plasmavorbehandlungmodul geladen. Das Photoresistmuster wird durch das Veraschen im Plasmavorbehandlungmodul entfernt. Eine beschädigte Schicht an der Oberfläche, die durch die Kontaktbohrung herausgestellt wird, wird dann im Plasmavorbehandlungmodul entfernt. Nachher wird das Halbleitersubstrat im Plasmavorbehandlungmodul vorgereinigt. Das Halbleitersubstrat wird dann, während in einem Vakuum, auf ein Absetzungmodul gebracht. Dort wird eine obere Schicht auf dem Substrat gebildet, um die Kontaktbohrung zu füllen.
