A semiconductor device includes a semiconductor structure including a
semiconductor substrate having an integrated circuit portion, and a
plurality of connecting pads connected to the integrated circuit portion.
A plurality of distributing lines are formed on the semiconductor
structure, connected to the connecting pads, and have connecting pad
portions. An encapsulating layer made of a resin is formed on the
semiconductor structure and upper surface of the distributing lines. A
copper oxide layer is formed on at least a surface of each of the
distributing lines except for the connecting pad portion.
Een halfgeleiderapparaat omvat een halfgeleiderstructuur met inbegrip van een halfgeleidersubstraat dat een gedeelte heeft van geïntegreerde schakelingen, en een meerderheid van het verbinden van stootkussens die met het gedeelte worden verbonden van geïntegreerde schakelingen. Een meerderheid van het verdelen van lijnen wordt gevormd op de halfgeleiderstructuur, die met de verbindende stootkussens wordt verbonden, en heeft verbindende stootkussengedeelten. Een inkapselende laag die van een hars wordt gemaakt wordt gevormd op de halfgeleiderstructuur en de hogere oppervlakte van de het verdelen lijnen. Een laag van het koperoxyde wordt gevormd op minstens een oppervlakte van elk van de het verdelen lijnen behalve het verbindende stootkussengedeelte.
