An under bump metallurgy (UBM) structure is described. Two UBM mask
processes are utilized. First, a top layer of copper (Cu) and/or a middle
layer of nickel-vanadium (NiV) or chrome-copper (CrCu) is personalized by
standard photoprocessing and etching steps utilizing a bump based size
mask. This is followed by patterning an underlying seed layer with a
second, larger mask, thereby preventing damage to the aluminum cap and
seed layer undercut during the etching process.
Eine UnterStruktur der stoßmetallurgie (UBM) wird beschrieben. Zwei UBM Schablone Prozesse werden verwendet. Zuerst wird eine obere Schicht von kupfernem (Cu) und/oder eine mittlere Schicht Nickel-Vanadium (NiV) oder Chrom-Kupfer (CrCu) durch die photoprocessing und ätzenden Standardschritte personifiziert, die eine Stoß gegründete Größe Schablone verwenden. Dieses wird gefolgt, von patterning eine zugrundeliegende Samenschicht mit einer zweiter, die größere Schablone, dadurch verhindert man Beschädigung der Aluminiumkappe und Samenschicht, die während des Radierung Prozesses unterschnitten wird.
