Integrated fuse with regions of different doping within the fuse neck

   
   

An integrated fuse has regions of different doping located within a fuse neck. The integrated fuse includes a polysilicon layer and a silicide layer. The polysilicon layer includes first and second regions having different types of dopants. In one example, the first region has an N-type dopant and the second region has a P-type dopant. The polysilicon layer can also include a third region in between the first and second regions, which also has a different dopant. During a fusing event, a distribution of temperature peaks around the regions of different dopants. By locating regions of different dopants within the fuse neck, agglomeration of the silicide layer starts reliably within the fuse neck (for example, at or near the center of the fuse neck) and proceeds toward the contact regions. An improved post fuse resistance distribution and an increased minimum resistance value in the post fuse resistance distribution is realized compared to conventional polysilicon fuses.

Μια ενσωματωμένη θρυαλλίδα εντοπίζει τις περιοχές της διαφορετικής νάρκωσης μέσα σε έναν λαιμό θρυαλλίδων. Η ενσωματωμένη θρυαλλίδα περιλαμβάνει ένα στρώμα πολυπυρίτιων και ένα στρώμα μεταλλικής ένωσης πυριτίου. Το στρώμα πολυπυρίτιων περιλαμβάνει πρώτα και δεύτερες περιοχές που έχουν τους διαφορετικούς τύπους υλικών πρόσμιξης. Σε ένα παράδειγμα, η πρώτη περιοχή έχει ένα υλικό πρόσμιξης ν-τύπων και η δεύτερη περιοχή έχει ένα υλικό πρόσμιξης π-τύπων. Το στρώμα πολυπυρίτιων μπορεί επίσης να περιλάβει μια τρίτη περιοχή μεταξύ των πρώτων και δεύτερων περιοχών, ο οποίος έχουν επίσης ένα διαφορετικό υλικό πρόσμιξης. Κατά τη διάρκεια ενός γεγονότος λιωσίματος, μια διανομή της θερμοκρασίας οξύνει γύρω από τις περιοχές των διαφορετικών υλικών πρόσμιξης. Με την εντόπιση των περιοχών των διαφορετικών υλικών πρόσμιξης μέσα στο λαιμό θρυαλλίδων, η συσσώρευση του στρώματος μεταλλικής ένωσης πυριτίου αρχίζει σοβαρά μέσα στο λαιμό θρυαλλίδων (παραδείγματος χάριν, σε ή κοντά στο κέντρο του λαιμού θρυαλλίδων) και προχωρά προς τις περιοχές επαφών. Μια βελτιωμένη μετα διανομή αντίστασης θρυαλλίδων και μια αυξανόμενη ελάχιστη αξία αντίστασης στη μετα διανομή αντίστασης θρυαλλίδων πραγματοποιούνται έναντι στις συμβατικές θρυαλλίδες πολυπυρίτιων.

 
Web www.patentalert.com

< Three dimensional device integration method and integrated device

< Conductive trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect

> Under bump metallization structure

> Method for bonding heat sinks to overmolds and device formed thereby

~ 00122