A device integration method and integrated device. The method may include
the steps of directly bonding a semiconductor device having a substrate to
an element; and removing a portion of the substrate to expose a remaining
portion of the semiconductor device after bonding. The element may include
one of a substrate used for thermal spreading, impedance matching or for
RF isolation, an antenna, and a matching network comprised of passive
elements. A second thermal spreading substrate may be bonded to the
remaining portion of the semiconductor device. Interconnections may be
made through the first or second substrates. The method may also include
bonding a plurality of semiconductor devices to an element, and the
element may have recesses in which the semiconductor devices are disposed.
A conductor array having a plurality of contact structures may be formed
on an exposed surface of the semiconductor device, vias may be formed
through the semiconductor device to device regions, and interconnection
may be formed between said device regions and said contact structures.
Un metodo di integrazione del dispositivo e un dispositivo integrato. Il metodo può includere i punti direttamente di legame del dispositivo a semiconduttore che ha un substrato ad un elemento; e rimuovendo una parte del substrato per esporre una parte restante del dispositivo a semiconduttore dopo il legame. L'elemento può includere uno di un substrato usato per la diffusione termica, l'impedenza corrispondenti o per isolamento di rf, un'antenna e una rete di corrispondenza formata dagli elementi passivi. Un secondo substrato di diffusione termico può essere legato alla parte restante del dispositivo a semiconduttore. Le interconnessioni possono essere fatte attraverso i primi o secondi substrati. Il metodo può anche includere il legame della pluralità di dispositivi a semiconduttore ad un elemento e l'elemento può avere incavi in où i dispositivi a semiconduttore sono disposti di. Un allineamento del conduttore che ha una pluralità di strutture del contatto può essere formato su una superficie esposta del dispositivo a semiconduttore, i vias possono essere formati tramite il dispositivo a semiconduttore alle regioni del dispositivo e l'interconnessione può essere formata fra le regioni dette del dispositivo e le strutture dette del contatto.
