In a semiconductor photo-detector of the present invention, a first
semiconductor layer, a second semiconductor layer having, and a
photo-absorption part composed of a photo-absorption layer sandwiched
between these layers are disposed on a substrate, at least the
photo-absorption layer is formed at a position apart inwardly by a finite
length from an end surface of the substrate, an end surface of the second
semiconductor layer and the substrate or the end surface of the substrate
is provided with a light incident facet angled inwardly as it separates
from the surface of the second semiconductor or the surface of the
substrate. Further, a groove as a guide of an optical waveguide for
guiding incident light is disposed opposing the light incident facet, or
the substrate end surface at the light incident facet side is protruded by
a finite length from a tip part of the light incident facet, or between
the optical waveguide and the semiconductor photo-detector is buried in a
solid or liquid, or a main reaching area of incident light refracted at an
upper layer of the photo-absorption layer is terminated with a substance
having a smaller refractive index than the semiconductor layer of
photo-absorption region part, or the light incident facet and its vicinity
are buried in an organic substance.
Em um photo-detector do semicondutor da invenção atual, uma primeira camada do semicondutor, uma segunda camada do semicondutor ter, e uma peça do foto-photo-absorption composta de uma camada do foto-photo-absorption imprensada entre estas camadas é disposta em uma carcaça, ao menos a camada do foto-photo-absorption é dada forma em uma posição distante interna por um comprimento finito de uma superfície da extremidade da carcaça, uma superfície da extremidade da segunda camada do semicondutor e a carcaça ou a superfície da extremidade da carcaça está fornecido com um facet claro do incident dobrada interna enquanto separa da superfície do segundo semicondutor ou da superfície da carcaça. Mais mais, um sulco como uma guia de um waveguide ótico para a luz guiando do incident é disposto que opõe o facet claro do incident, ou a superfície da extremidade da carcaça no lado claro do facet do incident é projetada por um comprimento finito de uma peça da ponta do facet claro do incident, ou entre o waveguide ótico e o semicondutor o photo-detector é enterrado em um contínuo ou líquido, ou uma área alcançando principal de luz do incident refracted em uma camada superior da camada do foto-photo-absorption é terminada com uma substância que tem um índice refractive menor do que a camada do semicondutor de peça da região do foto-photo-absorption, ou o facet claro do incident e sua vizinhança são enterrados em uma substância orgânica.
