A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with
the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal
(53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate
through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a
material selected from the group consisting of silicon and
silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the
use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the
back end of an integrated CMOS process.
Um método é fornecido fazendo uma estrutura de MEMS (69). De acordo com o método, uma carcaça do CMOS (51) é fornecida que tenha o metal do interconnect (53) depositado thereon. Uma estrutura de MEMS é criada na carcaça com o deposition de vapor químico ajudado plasma (PACVD) de um material selecionado das ligas consistindo do silicone e do silicone-germânio do grupo. As temperaturas baixas do deposition assistentes ao uso de PACVD permitem que estes materiais sejam usados para a fabricação de MEMS no fim traseiro de um processo integrado do CMOS.
