A process for producing aluminum oxide thin films on a substrate by the ALD
method comprises the steps of bonding a vaporizable aluminum compound to a
growth substrate, and converting the bonded organoaluminum compound to
aluminum oxide. The bonded aluminum compound is converted to aluminum
oxide by contacting it with a reactive vapor source of oxygen other than
water, and the substrate is kept at a temperature of less than 190.degree.
C. during the growth process. By means of the invention it is possible to
produce films of good quality at low temperatures. The dielectric thin
films having a dense structure can be used for passivating surfaces that
do not endure high temperatures. Such surfaces include, for example,
polymer films such as organic electroluminescent displays. Further, when a
water-free oxygen source is used, surfaces that are sensitive to water can
be passivated.
Un proceso para producir las películas finas del óxido de aluminio en un substrato por el método de ALD abarca los pasos de enlazar un compuesto de aluminio vaporizable a un substrato del crecimiento, y de convertir el compuesto consolidado del organoaluminum al óxido de aluminio. El compuesto de aluminio consolidado es convertido al óxido de aluminio entrándolo en contacto con con una fuente reactiva del vapor del oxígeno con excepción del agua, y el substrato se guarda en una temperatura de menos que 190.degree. C. durante el proceso del crecimiento. Por medio de la invención es posible producir las películas de la buena calidad en las bajas temperaturas. Las películas finas dieléctricas que tienen una estructura densa se pueden utilizar para apaciguar las superficies que no aguantan altas temperaturas. Tales superficies incluyen, por ejemplo, las películas del polímero tales como exhibiciones electroluminiscentes orgánicas. Además, cuando se utiliza una fuente sin agua del oxígeno, las superficies que son sensibles al agua pueden ser apaciguadas.
