To accomplish both of higher performance of a crystal and lower cost in a
semiconductor member, and to produce a solar cell having a high efficiency
and a flexible shape at low cost, the semiconductor member is produced by
the following steps, (a) forming a porous layer in the surface region of a
substrate, (b) immersing the porous layer into a melting solution in which
elements for forming a semiconductor layer to be grown is dissolved, under
a reducing atmosphere at a high temperature, to grow a crystal
semiconductor layer on the surface of the porous layer, (c) bonding
another substrate onto the surface of the substrate on which the porous
layer and the semiconductor layer are formed and (d) separating the
substrate from the another substrate at the porous layer.
Om zowel van hogere prestaties van een kristal als lagere kosten in een halfgeleiderlid te verwezenlijken, en een zonnecel te produceren die een hoge efficiency en een flexibele vorm heeft aan lage kosten, wordt het halfgeleiderlid geproduceerd door de volgende stappen, (a) vormt een poreuze laag in het oppervlaktegebied van een substraat, (b) onderdompelend de poreuze laag in een het smelten oplossing waarin de elementen voor het vormen van een te kweken halfgeleiderlaag, onder een verminderende atmosfeer bij op hoge temperatuur, wordt opgelost om een laag van de kristalhalfgeleider op de oppervlakte van de poreuze laag te kweken, (c) plakkend een ander substraat op de oppervlakte van het substraat waarop de poreuze laag en, and to produce a solar cell having a high efficiency and a flexible shape at low cost, the semiconductor member is produced by the following steps, (a) forming a porous layer in the surface region of a substrate, (b) immersing the porous layer into a melting solution in which elements for forming a semiconductor layer to be grown is dissolved, under a reducing atmosphere at a high temperature, to grow a crystal semiconductor layer on the surface of the porous layer, (c) bonding another substrate onto the surface of the substrate on which the porous layer and the semiconductor layer are formed and (d) het scheiden van het substraat van het een andere substraat bij de poreuze laag.
