A crystalline semiconductor layer can be formed by forming a semiconductor
film on an inexpensive conventional substrate. Next, perform a first
annealing process in which nearly the entire surface of the semiconductor
film is exposed to laser irradiation or other forms of irradiation, and
then perform a second annealing process consisting of rapid thermal
annealing. This enables the formation of a high quality crystalline
semiconductor film with high throughput but without subjecting the
substrate to undue thermal stress. When this invention is applied to thin
film transistors, good transistors having high performance are easily
fabricated. When this invention is applied to solar cells, energy
conversion efficiency is increased.
Eine kristallene Halbleiterschicht kann gebildet werden, indem man einen Halbleiterfilm auf einem billigen herkömmlichen Substrat bildet. Zunächst führen Sie einen ersten Ausglühenprozeß, in dem fast die gesamte Oberfläche des Halbleiterfilmes Laser Bestrahlung oder anderen Formen der Bestrahlung ausgesetzt wird, durch und führen Sie dann ein Prozeßbestehen des zweiten Ausglühens aus schnellem thermischem Ausglühen durch. Dieses ermöglicht der Anordnung eines hohe Qualitätskristallenen Halbleiterfilmes mit hohem Durchsatz aber, ohne das Substrat übermäßigem thermischem Druck zu unterwerfen. Wenn diese Erfindung auf Dünnfilmtransistoren zugetroffen wird, werden die guten Transistoren, die hohe Leistung haben, leicht fabriziert. Wenn diese Erfindung an den Solarzellen angewendet wird, wird Energieumwandlung Leistungsfähigkeit erhöht.
