Within a damascene method for forming a microelectronic fabrication, there
is employed an etch stop layer comprising a comparatively low dielectric
constant dielectric material sub-layer having formed thereupon a
comparatively high dielectric constant dielectric material sub-layer.
Within the method there is also simultaneously etched: (1) an
anti-reflective coating layer from an inter-metal dielectric layer; and
(2) the etch stop layer from a contact region. The microelectronic
fabrication is formed with enhanced performance and enhanced reliability.
Μέσα σε μια μέθοδο damascene για μια μικροηλεκτρονική επεξεργασία, υπάρχει υιοθετημένο χαράζει το στρώμα στάσεων που περιλαμβάνει ένα συγκριτικά χαμηλό διηλεκτρικό υλικό υπόστρωμα διηλεκτρικής σταθεράς διαμορφώνοντας κατά συνέπεια ένα συγκριτικά υψηλό διηλεκτρικό υλικό υπόστρωμα διηλεκτρικής σταθεράς. Μέσα στη μέθοδο επίσης ταυτόχρονα χαράζεται: (1) ένα αντι-αντανακλαστικό στρώμα επιστρώματος από ένα διηλεκτρικό στρώμα διά-μετάλλων και (2) χαράξτε το στρώμα στάσεων από μια περιοχή επαφών. Η μικροηλεκτρονική επεξεργασία διαμορφώνεται με την ενισχυμένη απόδοση και την ενισχυμένη αξιοπιστία.
