A method for forming within a substrate employed within a microelectronics
fabrication a damascene multi-layer conductor interconnection layer with
inhibited/attenuated damage to a conductor stud layer accessed therein
within a trench, when forming the trench interconnection pattern within a
dielectric layer overlying the conductor stud layer. There is provided a
substrate having a contact region formed therein employing a first
intermediate metal dielectric (IMD) layer having a pattern of via contact
holes etched through the IMD layer filled with studs of conductor
material. There is then planarized the surface of the IMD contact region.
There is then formed over the planarized first IMD layer contact region a
blanket composite etch stop layer. There is the formed over the blanket
composite etch stop layer a second blanket inter-level metal dielectric
(IMD) layer. A patterned photoresist etch mask layer formed into the
interconnection trench pattern is then formed over the substrate and
employed to transfer the trench pattern into the second IMD layer and the
upper sub-layer of the composite etch stop layer. The interconnection
trench pattern is then transferred by a second subtractive etch into the
lower sub-layer of the composite etch stop layer, employing the second IMD
layer as an etch mask. A barrier metal layer is then formed over the
substrate. The trench pattern is then filled with a second conductor
material to complete the damascene multi-layer conductor interconnection
layer, with improved electrical conductivity and contact properties and
inhibited/attenuated degradation effects due to processing on the
damascene interconnection layer.
Un metodo per formare all'interno di un substrato ha impiegato all'interno di un montaggio che di microelettronica un lo strato a più strati damascene di interconnessione del conduttore con danneggiamento di inhibited/attenuated di uno strato della vite prigioniera del conduttore ha acceduto a in ciò all'interno di una trincea quando forma il modello di interconnessione della trincea all'interno di uno strato dielettrico che ricopre lo strato della vite prigioniera del conduttore. È fornito un substrato che fa una regione del contatto formare in ciò impiegando uno strato dielettrico del primo metallo intermedio (IMD) che ha un modello via dei fori del contatto incisi con lo strato di IMD riempito di viti prigioniere del materiale del conduttore. Ci è allora planarized la superficie della regione del contatto di IMD. Ci allora è eccedenza formata planarized la prima regione del contatto di strato di IMD un lo strato composito generale di arresto incissione all'acquaforte. Ci sono formati sopra lo strato composito generale di arresto incissione all'acquaforte un il secondo strato del dielettrico del metallo del inter-livello della coperta (IMD). Uno strato modellato della mascherina incissione all'acquaforte del photoresist ha formato nel modello della trincea di interconnessione allora è formato sopra il substrato ed è impiegato per trasferire il modello della trincea nel secondo strato di IMD e nel sub-layer superiore dello strato composito di arresto incissione all'acquaforte. Il modello della trincea di interconnessione allora è trasferito seconda incissione all'acquaforte subtractive nel sub-layer più basso dello strato composito di arresto incissione all'acquaforte, impiegante il secondo strato di IMD come una mascherina incissione all'acquaforte. Uno strato del metallo della barriera allora è formato sopra il substrato. Il modello della trincea allora è riempito di secondo materiale del conduttore per completare lo strato a più strati damascene di interconnessione del conduttore, con le proprietà migliorate del contatto e di conduttività elettrica e gli effetti di degradazione di inhibited/attenuated dovuto l'elaborazione sullo strato damascene di interconnessione.
