An ohmic electrode for an SiC semiconductor includes a p-type Si layer
formed on the surface of a p-type SiC semiconductor, and a metal silicide
layer formed on the surface of the Si layer, the metal silicide layer
being formed from a metal silicide such as PtSi. The p-type Si layer is
preferably formed from p-type Si having a carrier concentration equal to
or higher than that of the aforementioned p-type SiC. Preferably, the
ohmic electrode is formed as follows: deposition of Si is performed;
deposition of a metal silicide is performed by means of laser ablation;
laser irradiation is performed to thereby improve ohmic properties and
enhance adhesion between the result deposition layer and the p-type SiC
semiconductor, and then further deposition of the metal silicide is
performed by means of laser ablation.
Un elettrodo ohmico per un semiconduttore di SiC include un p-tipo strato del silicone formato sulla superficie di un p-tipo semiconduttore di SiC e uno strato formato sulla superficie dello strato del silicone, lo strato del silicide del metallo del silicide del metallo che è formato da un silicide del metallo quale PtSi. Il p-tipo strato del silicone è formato preferibilmente da p-tipo silicone che ha una concentrazione in elemento portante uguale a o superiore a quello del p-tipo sopraccennato SiC. Preferably, l'elettrodo ohmico è formato come segue: il deposito di silicone è realizzato; il deposito di un silicide del metallo è realizzato per mezzo di ablazione del laser; l'irradiazione del laser è effettuata quindi per migliorare le proprietà ohmiche e per aumentare l'adesione fra lo strato di deposito di risultato ed il p-tipo semiconduttore di SiC ed allora avanza il deposito del silicide del metallo è effettuata per mezzo di ablazione del laser.
