A method for creating a MEMS structure (100) is provided. In accordance
with the method, an article is provided comprising a substrate (101), a
sacrificial layer (103) and a semiconductor layer (105), wherein the
sacrificial layer comprises a first material such as silicon oxide. A MEMS
structure is then formed in the semiconductor layer. The structure has
first (107) and second (109) elements which have an exposed portion of the
sacrificial layer (103) disposed between them. The first element is then
released from the substrate (101) by contacting the exposed portion of the
sacrificial layer (103) with a first etchant, typically by way of one or
more trenches (119), after which the first element is reattached to the
substrate (101) with a second material (131). The first element is then
released from the substrate (101) by contacting the second material (131)
with a second etchant.
Un método para crear una estructura de MEMS (100) se proporciona. De acuerdo con el método, un artículo se proporciona que abarca un substrato (101), una capa sacrificatoria (103) y una capa del semiconductor (105), en donde la capa sacrificatoria abarca un primer material tal como óxido del silicio. Una estructura de MEMS entonces se forma en la capa del semiconductor. La estructura tiene primero (107) y en segundo lugar (109) elementos que tengan una porción expuesta de la capa sacrificatoria (103) dispuesta entre ellos. El primer elemento entonces es lanzado del substrato (101) entrando en contacto con la porción expuesta de la capa sacrificatoria (103) con un primer etchant, típicamente por la manera un o más fosos (119), después de que el primer elemento se reata al substrato (101) con un segundo material (131). El primer elemento entonces es lanzado del substrato (101) entrando en contacto con el segundo material (131) con un segundo etchant.
