The present invention provides a semiconductor device with reducing
dislocation density. The semiconductor device includes multiple nucleuses
between a substrate and an AlGaInN compound semiconductor. The dislocation
density that is induced by crystal lattice differences between the
substrate and the AlGaInN compound semiconductor is significantly reduced
and the growth of the AlGaInN compound semiconductor is improved.
La présente invention fournit à un dispositif de semi-conducteur réduire la densité de dislocation. Le dispositif de semi-conducteur inclut les noyaux multiples entre un substrat et un semi-conducteur composé d'AlGaInN. La densité de dislocation qui est induite par des différences de trellis en cristal entre le substrat et le semi-conducteur composé d'AlGaInN est sensiblement réduit et la croissance du semi-conducteur composé d'AlGaInN est améliorée.
