A magnetoresistive random access memory (MRAM) device includes a memory
array having a plurality of bitlines and a plurality of wordlines
intersecting the bitlines. A plurality of memory elements are located at
the intersections of the wordlines and the bitlines and are operable to
store data. A bitline selection circuit is operable to select a first
bitline and to provide a first sense current to the first bitline to
generate a first reference signal. A wordline selection circuit is
operable to select wordlines and to provide wordline currents to a
selected wordline after the first reference signal has stabilized and
while the first sense current is applied to the first bitline.
Een apparaat magnetoresistive van het directe toeganggeheugen (MRAM) omvat een geheugenserie die een meerderheid van bitlines en een meerderheid die van wordlines heeft bitlines snijdt. Een meerderheid van geheugenelementen wordt gevestigd bij de kruisingen van wordlines en bitlines en is opereerbaar om gegevens op te slaan. Een kring van de bitlineselectie is opereerbaar om een eerste bitline te selecteren en een eerste betekenisstroom te verstrekken aan eerste bitline om een eerste verwijzingssignaal te produceren. Een kring van de wordlineselectie is opereerbaar om wordlines te selecteren en wordlinestromen te verstrekken aan een geselecteerde wordline nadat het eerste verwijzingssignaal heeft gestabiliseerd en terwijl de eerste betekenisstroom wordt toegepast op eerste bitline.
