A semiconductor memory device includes (a) a plurality of reference cells,
(b) a plurality of memory cells, data stored in a selected reference cell
among the reference cells being compared to data stored in a selected
memory cell among the memory cells, (c) an address transition detector for
detecting transition in input of addresses by which a memory cell is
selected among the memory cells, and transmitting an address transition
detecting signal indicative of the detected transition, (d) a counter for
counting the address transition detecting signals, and (e) a reference
cell decoder for selecting a reference cell among the reference cells in
accordance with an output transmitted from the counter.
Un dispositivo de memoria de semiconductor incluye (a) una pluralidad de células de la referencia, (b) una pluralidad de células de memoria, datos almacenados en una célula seleccionada de la referencia entre las células de la referencia que son comparadas a los datos almacenados en una célula de memoria seleccionada entre las células de memoria, (c) un detector de la transición de la dirección para detectar la transición en la entrada de las direcciones por las cuales una célula de memoria es seleccionada entre las células de memoria, y transmitiendo una transición de la dirección que detectaba la señal indicativa de la transición detectada, (d) un contador para contar la transición de la dirección que detectaba señales, y (e) un decodificador de la célula de la referencia para seleccionar una célula de la referencia entre las células de la referencia de acuerdo con una salida transmitieron del contador.
