A semiconductor laser having a mesa structure includes active laser layers.
The mesa structure is confined by Fe--InP lateral semi-insulating layers.
A p blocking layer is interposed between the mesa structure and the
lateral semi-insulating layers. Performance at high temperature and linear
laser operation are improved. A preferred application is for manufacturing
SIBH-DFB lasers for direct modulation in the 10 Gbit/s range.
Лазер полупроводника имея структуру мезы вклюает активно слои лазера. Структура мезы ограничена Fe -- слоями inP боковыми семи-izoliru4. П преграждая слой interposed между структурой мезы и боковыми семи-izoliru4 слоями. Улучшены представление на высокой температуре и линейная деятельность лазера. Предпочитаемое применение для лазеров изготавливания SIBH-DFB для сразу модуляции в ряде 10 Gbit/s.
