The present invention relates to an organometal complex and a chemical
vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) method for
preparing a metal silicate thin layer using same. The inventive method can
easily prepare the metal silicate thin layer having a desired composition
which can be effectively used as a gate insulating layer for various
semiconductor devices.
A invenção atual relaciona-se a um organometal complexo e um deposition de vapor químico (CVD) ou o método atômico do deposition da camada (ALD) para preparar um silicato do metal mergulham finamente usando mesmos. O método inventive pode fàcilmente preparar o silicato do metal mergulha finamente ter uma composição desejada que possa eficazmente ser usada como uma camada isolando da porta para vários dispositivos de semicondutor.
