A method for forming a ternary thin film using an atomic layer deposition
process includes supplying a first and a second reactive material to a
chamber containing a wafer, the first and second reactive materials being
adsorbing on a surface of the wafer, supplying a first gas to the chamber
to purge the first and second reactive materials that remain unreacted,
supplying a third reactive material to the chamber to cause a reaction
between the first and second reactive materials and the third reactive
material to form a thin film monolayer, supplying a second gas to purge
the third reactive material that remains unreacted and a byproduct, and
repeating the above steps for forming the thin film monolayer a
predetermined number of times to form a ternary thin film having a
predetermined thickness on the wafer. Preferably, the ternary thin film is
a SiBN film.
Метод для формировать троичную тонкую пленку используя атомный процесс низложения слоя вклюает поставлять первый и второй реактивный материал к камере содержа вафлю, первые и вторые реактивные материалы adsorbing на поверхности вафли, поставляя первый газ к камере для того чтобы продуть первые и вторые реактивные материалы которые остают unreacted, поставляя третий реактивный материал к камере для того чтобы причинить реакцию между первыми и вторыми реактивными материалами и третьим реактивным материалом к форме монослой тонкой пленки, поставляя второй газ к продувке третий реактивный материал который остает unreacted и субпродуктом, и повторяя вышеуказанные шаги для формировать монослой тонкой пленки предопределенный количество времен сформировать троичную тонкую пленку имея предопределенную толщину на вафле. Предпочтительн, троичная тонкая пленка будет пленкой SiBN.
