Method for forming a thin film using an atomic layer deposition (ALD) process

   
   

A method for forming a ternary thin film using an atomic layer deposition process includes supplying a first and a second reactive material to a chamber containing a wafer, the first and second reactive materials being adsorbing on a surface of the wafer, supplying a first gas to the chamber to purge the first and second reactive materials that remain unreacted, supplying a third reactive material to the chamber to cause a reaction between the first and second reactive materials and the third reactive material to form a thin film monolayer, supplying a second gas to purge the third reactive material that remains unreacted and a byproduct, and repeating the above steps for forming the thin film monolayer a predetermined number of times to form a ternary thin film having a predetermined thickness on the wafer. Preferably, the ternary thin film is a SiBN film.

Метод для формировать троичную тонкую пленку используя атомный процесс низложения слоя вклюает поставлять первый и второй реактивный материал к камере содержа вафлю, первые и вторые реактивные материалы adsorbing на поверхности вафли, поставляя первый газ к камере для того чтобы продуть первые и вторые реактивные материалы которые остают unreacted, поставляя третий реактивный материал к камере для того чтобы причинить реакцию между первыми и вторыми реактивными материалами и третьим реактивным материалом к форме монослой тонкой пленки, поставляя второй газ к продувке третий реактивный материал который остает unreacted и субпродуктом, и повторяя вышеуказанные шаги для формировать монослой тонкой пленки предопределенный количество времен сформировать троичную тонкую пленку имея предопределенную толщину на вафле. Предпочтительн, троичная тонкая пленка будет пленкой SiBN.

 
Web www.patentalert.com

< Barrier material for copper structures

< Organometal complex and method of depositing a metal silicate thin layer using same

> Nanolayer thick film processing system and method

> Wavelength-selective photonics device

~ 00142