A light-emitting device of a top-emission type maintains a stable emission
efficiency without leakage current consists of a substrate (1), a lower
electrode (4), an organic layer (6) which includes at least an emission
layer (6c), and a transparent upper electrode (7) provided on the organic
layer (6), which are sequentially formed on top of the other. The lower
electrode (4) has a double-layer structure composed of a metallic layer
(2c) and a buffering thin film (3c) formed thereon. The buffering thin
film (3c) is formed from either an oxide of the metallic material
constituting the metallic layer (2c), the oxide having a higher
conductivity than the organic layer (6), or an oxide of chromium. The
thus-formed buffering thin film (3c) reduces the surface roughness of the
metallic layer (2c) in the lower electrode (4) of double-layer structure.
The reduced surface roughness provides a uniform space between the lower
electrode (4) and the transparent upper electrode (7).
Μια εκπέμπουσα φως συσκευή ενός τύπου κορυφαίος-εκπομπής διατηρεί ότι μια σταθερή αποδοτικότητα εκπομπής χωρίς ρεύμα διαρροής αποτελείται από ένα υπόστρωμα (1), ένα χαμηλότερο ηλεκτρόδιο (4), ένα οργανικό στρώμα (6) που περιλαμβάνουν τουλάχιστον ένα στρώμα εκπομπής (6c), και ένα διαφανές ανώτερο ηλεκτρόδιο (7) που παρέχεται στο οργανικό στρώμα (6), το οποίο διαμορφώνεται διαδοχικά πάνω από άλλο. Το χαμηλότερο ηλεκτρόδιο (4) αποτελείται μια δομή διπλός-στρώματος από ένα μεταλλικό στρώμα (2c) και μια αποθηκεύοντας λεπτή ταινία (3c) που διαμορφώνεται επ'αυτού. Η αποθηκεύοντας λεπτή ταινία (3c) διαμορφώνεται από είτε ένα οξείδιο του μεταλλικού υλικού που αποτελεί το μεταλλικό στρώμα (2c), το οξείδιο που έχει μια υψηλότερη αγωγιμότητα από το οργανικό στρώμα (6), είτε ένα οξείδιο του χρωμίου. Η κατά συνέπεια-διαμορφωμένη αποθηκεύοντας λεπτή ταινία (3c) μειώνει την τραχύτητα επιφάνειας του μεταλλικού στρώματος (2c) στο χαμηλότερο ηλεκτρόδιο (4) της δομής διπλός-στρώματος. Η μειωμένη τραχύτητα επιφάνειας παρέχει ένα ομοιόμορφο διάστημα μεταξύ του χαμηλότερου ηλεκτροδίου (4) και του διαφανούς ανώτερου ηλεκτροδίου (7).
