Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, a
gate electrode, a first insulating film formed between the semiconductor
substrate and the gate electrode, and a second insulating film formed
along a top surface or a side surface of the gate electrode and including
a lower silicon nitride film containing nitrogen, silicon and hydrogen and
an upper silicon nitride film formed on the lower silicon nitride film and
containing nitrogen, silicon and hydrogen, and wherein a composition ratio
N/Si of nitrogen (N) to silicon (Si) in the lower silicon nitride film is
higher than that in the upper silicon nitride film.
Gegeben ein Halbleiterelement frei, das ein Halbleitersubstrat, eine Gate-Elektrode, ein erster isolierender Film enthält, der zwischen dem Halbleitersubstrat und der Gate-Elektrode und ein zweiter isolierender Film gebildet wird entlang einer Oberfläche oder eine seitliche Oberfläche der Gate-Elektrode gebildet wird und einen untereren Silikonnitridfilm, das mit einschließt, der Stickstoff, Silikon und Wasserstoff und ein oberer Silikonnitridfilm gebildet wird auf dem untereren Silikonnitridfilm enthält und Stickstoff, Silikon und Wasserstoff enthält und worin ein Aufbauverhältnis N/Si von Stickstoff (N) zum Silikon (Silikon) im untereren Silikonnitridfilm höher als das im oberen Silikonnitridfilm ist.