Semiconductor device comprising dual silicon nitride layers with varying nitrogen ratio

   
   

Disclosed is a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, a gate electrode, a first insulating film formed between the semiconductor substrate and the gate electrode, and a second insulating film formed along a top surface or a side surface of the gate electrode and including a lower silicon nitride film containing nitrogen, silicon and hydrogen and an upper silicon nitride film formed on the lower silicon nitride film and containing nitrogen, silicon and hydrogen, and wherein a composition ratio N/Si of nitrogen (N) to silicon (Si) in the lower silicon nitride film is higher than that in the upper silicon nitride film.

Gegeben ein Halbleiterelement frei, das ein Halbleitersubstrat, eine Gate-Elektrode, ein erster isolierender Film enthält, der zwischen dem Halbleitersubstrat und der Gate-Elektrode und ein zweiter isolierender Film gebildet wird entlang einer Oberfläche oder eine seitliche Oberfläche der Gate-Elektrode gebildet wird und einen untereren Silikonnitridfilm, das mit einschließt, der Stickstoff, Silikon und Wasserstoff und ein oberer Silikonnitridfilm gebildet wird auf dem untereren Silikonnitridfilm enthält und Stickstoff, Silikon und Wasserstoff enthält und worin ein Aufbauverhältnis N/Si von Stickstoff (N) zum Silikon (Silikon) im untereren Silikonnitridfilm höher als das im oberen Silikonnitridfilm ist.

 
Web www.patentalert.com

< Semiconductor device with thermoelectric heat dissipating element

< IMPATT diodes

> Apparatus and method for generating electrical current from the nuclear decay process of a radioactive material

> Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor with planarizing layer and related structure

~ 00124