The present invention relates to an impact ionisation avalanche transit
time (IMPATT) diode device comprising an avalanche region and a drift
region, wherein at least one narrow bandgap region, with a bandgap
narrower than the bandgap in the avalanche region, is located adjacent to
or within the avalanche region in order to generate within the narrow
bandgap region a tunnel current which is injected into the avalanche
region. This improves the predictability with which a current can be
injected into the avalanche region and enables a relatively narrow pulse
of current to be injected into the avalanche region in order to enable a
relatively noise free avalanche multiplication. The narrow bandgap region
may be located between a heavily doped contact region and the avalanche
region and is preferably arranged to generate a tunnel current at the peak
reverse bias applied to the diode.
Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια συσκευή χρονικών (IMPATT) διόδων διέλευσης χιονοστιβάδων ιονισμού αντίκτυπου περιλαμβάνοντας μια περιοχή χιονοστιβάδων και μια περιοχή κλίσης, όπου τουλάχιστον μια στενή περιοχή bandgap, με ένα bandgap στενότερο από το bandgap στην περιοχή χιονοστιβάδων, βρίσκεται δίπλα ή μέσα στην περιοχή χιονοστιβάδων προκειμένου να παραχθεί μέσα στη στενή περιοχή bandgap ένα ρεύμα σηράγγων που εγχέεται στην περιοχή χιονοστιβάδων. Αυτό βελτιώνει την προβλεψιμότητα με την οποία ένα ρεύμα μπορεί να εγχεθεί στην περιοχή χιονοστιβάδων και επιτρέπει σε έναν σχετικά στενό σφυγμό του ρεύματος για να εγχεθεί στην περιοχή χιονοστιβάδων προκειμένου να επιτραπεί ένας σχετικά χωρίς θόρυβο πολλαπλασιασμός χιονοστιβάδων. Η στενή περιοχή bandgap μπορεί να βρεθεί μεταξύ μιας βαριά ναρκωμένης περιοχής επαφών και της περιοχής χιονοστιβάδων και κανονίζεται κατά προτίμηση για να παραγάγει ένα ρεύμα σηράγγων στη μέγιστη αντίστροφη προκατάληψη που εφαρμόζεται στη δίοδο.
