An opto-electronic device configured as a photodetector has a capacitor
and/or resistor monolithically formed on a surface of the photodetector.
The capacitor capacitively couples the AC ground of the photodetector to
the bias terminal of the photodetector. The on chip capacitor design
eliminates the inductance of external circuit traces between the power
supply and an external capacitor. The resistor forces the AC return
current of the photodetector through the AC ground in preference to the
typical (DC bias terminal) path. Combinations of capacitors and resistors
are particularly effective in reducing crosstalk among adjacent detectors
in arrays.
Um dispositivo opto-electronic configurarado como um photodetector tem um capacitor e/ou um resistor dados forma monolìtica em uma superfície do photodetector. O capacitor acopla capacitively a terra da C. A. do photodetector ao terminal diagonal do photodetector. Sobre o projeto do capacitor da microplaqueta elimina a indutância de traços de circuito externos entre a fonte de alimentação e um capacitor externo. O resistor força a corrente do retorno de AC do photodetector com a C. A. moído na preferência (ao trajeto típico do terminal diagonal da C.C.). As combinações dos capacitores e dos resistores são particularmente eficazes em reduzir o crosstalk entre detetores adjacentes nas disposições.
