A display unit having a sufficient luminance and a method of fabricating
the display unit are provided. The display unit includes micro-sized
semiconductor light emitting devices fixedly arrayed on a plane of a base
body of the display unit at intervals. Micro-sized GaN based semiconductor
light emitting devices formed by selective growth are each buried in a
first insulating layer made from an epoxy resin except an upper end
portion and a lower end surface thereof, and electrodes of each of the
light emitting devices are extracted. These light emitting devices are
fixedly arrayed on the upper plane of the base body at intervals. A second
insulating layer made from an epoxy resin is formed on the plane of the
base body so as to cover the semiconductor light emitting devices each of
which has been buried in the first insulating layer. The electrodes are
extracted to the upper surface of the second insulating layer via specific
connection holes formed in the second insulating layer, and the electrode
is led to a connection electrode provided on the base body via a
connection hole formed in the second insulating layer.
Eine Display-Unit, die eine genügende Helligkeit haben und eine Methode des Fabrizierens der Display-Unit werden zur Verfügung gestellt. Die Display-Unit schließt die Mikro-sortierten hellen ausstrahlenden Vorrichtungen des Halbleiters ein, die örtlich festgelegt auf einer Fläche eines niedrigen Körpers der Display-Unit in Abständen gekleidet werden. Mikro-sortiertes GaN gründete das Halbleiterlicht, welches die Vorrichtungen ausstrahlt, die durch vorgewähltes Wachstum gebildet wurden, werden jedes begraben in einer ersten Isolierschicht, die von einem Epoxidharz ausgenommen einen oberes Ende Teil und eine Oberfläche des untereren Endes davon gebildet wurde, und Elektroden von jedem des Lichtes, das Vorrichtungen ausstrahlt, werden extrahiert. Diese helle ausstrahlende Vorrichtungen werden örtlich festgelegt auf der oberen Fläche des niedrigen Körpers in Abständen gekleidet. Eine zweite Isolierschicht, die von einem Epoxidharz gebildet wird, wird auf der Fläche des niedrigen Körpers gebildet, um die hellen ausstrahlenden Vorrichtungen des Halbleiters zu umfassen, von denen jede in der ersten Isolierschicht begraben worden ist. Die Elektroden werden zur Oberfläche der zweiten Isolierschicht über die spezifischen Anschlußbohrungen extrahiert, die in der zweiten Isolierschicht gebildet werden, und die Elektrode wird zu eine Anschlußelektrode geführt, die auf dem niedrigen Körper über eine Anschlußbohrung bereitgestellt wird, die in der zweiten Isolierschicht gebildet wird.
