Method of manufacturing a waveguide optical semiconductor device

   
   

A method of manufacturing a waveguide optical semiconductor device provides a semiconductor substrate including a lower clad layer, a core layer, an upper clad layer and a contact layer formed on the substrate in order. The contact layer and a part of the upper clad layer are removed by dry etching between a pair of parallel line patterns and at an independent rectangular pattern located near the line patterns. Then, the remaining upper clad layer is removed by wet etching so as to expose the core layer within the line patterns and the independent rectangular pattern. An insulating material is coated on the exposed core layer. The insulating material formed on the contact layer is removed within a region located between the pair of line patterns so that a part of the contact layer is exposed. An electrode layer is formed on the exposed contact layer. Finally, a bonding pad layer is formed over the independent rectangular pattern and a part of the electrode layer.

Une méthode de fabriquer un dispositif de semi-conducteur optique de guide d'ondes fournit un substrat de semi-conducteur comprenant une couche plaquée inférieure, une couche de noyau, une couche plaquée supérieure et une couche de contact formée sur le substrat dans l'ordre. La couche de contact et une partie de la couche plaquée supérieure sont enlevées par gravure à l'eau-forte sèche entre une paire de ligne parallèle modèles et à un modèle rectangulaire indépendant situé près de la ligne modèles. Puis, la couche plaquée supérieure restante est enlevée par gravure à l'eau-forte humide afin d'exposer la couche de noyau dans la ligne modèles et le modèle rectangulaire indépendant. Un matériel isolant est enduit sur la couche exposée de noyau. Le matériel isolant a formé sur la couche de contact est enlevé dans une région située entre la paire de la ligne modèles de sorte qu'une partie de la couche de contact soit exposée. Une couche d'électrode est formée sur la couche exposée de contact. En conclusion, une couche de plot de connexion est formée au-dessus du modèle rectangulaire indépendant et d'une partie de la couche d'électrode.

 
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