A semiconductor wafer includes an oxide film above a silicon layer, and a
porous silicon layer which is located above the oxide film and serves as a
gettering layer. Gettering of impurities from a silicon layer is not
interrupted by the oxide film since the porous silicon layer is placed
above the oxide film. The semiconductor wafer having the structure above
can be produced by a bonding method. Bonding strength relative to the
oxide film is ensured by placing a growth silicon layer between the oxide
film and the porous silicon layer, compared with the case in which the
oxide film and the porous silicon layer are directly bonded.
Una oblea de semiconductor incluye una película del óxido sobre una capa del silicio, y una capa porosa del silicio que esté situada sobre la película del óxido y sirve como capa gettering. Gettering de impurezas de una capa del silicio no es interrumpido por la película del óxido puesto que la capa porosa del silicio se pone sobre la película del óxido. La oblea de semiconductor que tiene la estructura arriba se puede producir por un método de la vinculación. La fuerza de la vinculación concerniente a la película del óxido es asegurada poniendo una capa del silicio del crecimiento entre la película del óxido y la capa porosa del silicio, comparadas con el caso en el cual la película del óxido y la capa porosa del silicio se enlazan directamente.
