A method for forming an integrated circuit on an insulating substrate is
described comprising the steps of forming a semiconductor layer on a seed
wafer substrate containing an at least partially crystalline porous
release layer, processing the semiconductor layer to form a "transferable"
device layer containing at least one semiconductor device, and bonding
said transferable device layer to a final, insulating substrate before or
after separating said device layer from the seed wafer substrate. A second
method, for separating a semiconductor layer from a seed wafer substrate,
is described wherein an at least partially crystalline porous layer
initially connecting the semiconductor layer and seed wafer substrate is
split or broken apart by the steps of (i) introducing a fluid including
water into the pores of said porous layer, and (ii) expanding said fluid
by solidifying or freezing to break apart the porous layer. The at least
partially crystalline porous layer may incorporate at least one porous
silicon germanium alloy layer alone or in combination with at least one
porous Si layer. Also described is an integrated circuit comprising the
transfered device layer described above.
Un metodo per formare un circuito integrato su un substrato isolante è descritto che contiene i punti formare uno strato a semiconduttore su un substrato della cialda del seme che contiene uno strato poroso almeno parzialmente cristallino del rilascio, procedendo lo strato a semiconduttore per formare uno strato "trasferibile" del dispositivo che contiene almeno un dispositivo a semiconduttore e legante lo strato trasferibile detto del dispositivo ad un substrato finale e isolante prima o dopo la separazione dello strato detto del dispositivo dal substrato della cialda del seme. Un secondo metodo, per la separazione dello strato a semiconduttore da un substrato della cialda del seme, è descritto in cui uno strato poroso almeno parzialmente cristallino inizialmente che collega il substrato di strato a semiconduttore e della cialda del seme è spaccato o rotto a parte dai punti (i) che introducono di un liquido compreso acqua nei pori dello strato poroso detto e (ii) liquido detto d'espansione solidificandosi o congelando per rompere a parte lo strato poroso. Lo strato poroso almeno parzialmente cristallino può comprendere almeno uno strato poroso della lega del germanio del silicone da solo o congiuntamente almeno ad uno strato poroso del silicone. Inoltre è descritto un circuito integrato che contiene lo strato trasferito del dispositivo descritto precedentemente.
