Stacked semiconductor package

   
   

A semiconductor package includes a first insulating substrate, a second insulating substrate, and a plurality of semiconductor chip units placed between the first and second insulating substrates. The first insulating substrate has wiring placed on one surface thereof and has first electrically conductive balls which are used as external connection terminals and second electrically conductive balls which radiate heat. The first and second electrically conductive balls are on the other surface thereof. The second insulating substrate is placed opposite to the one surface of the first insulating substrate. Each semiconductor chip unit has a semiconductor chip; a circuit board which has the semiconductor chip mounted thereon and wiring electrically connected to terminals of the semiconductor chip; and a third insulating substrate which is placed on the circuit board and which has a chip cavity for housing the semiconductor chip. By use of the second electrically conductive balls placed on the first insulating substrate, beat generated in the semiconductor chip is efficiently released outside, thus preventing an increase in temperature of the semiconductor chip.

Een halfgeleiderpakket omvat een eerste isolerend substraat, een tweede isolerend substraat, en een meerderheid van de eenheden van de halfgeleiderspaander die tussen de eerste en tweede isolerende substraten worden geplaatst. Het eerste isolerende substraat heeft bedrading daarvan geplaatst op één oppervlakte en heeft elektrisch eerste geleidende ballen die als externe verbindingsterminals en tweede elektrisch geleidende ballen worden gebruikt die hitte uitstralen. De eerste en tweede elektrisch geleidende ballen zijn daarvan op de andere oppervlakte. Het tweede isolerende substraat wordt geplaatst tegengesteld aan de één oppervlakte van het eerste isolerende substraat. Elke eenheid van de halfgeleiderspaander heeft een halfgeleiderspaander; een kringsraad die de daarop opgezette halfgeleiderspaander en bedrading elektrisch aangesloten aan terminals van de halfgeleiderspaander heeft; en een derde isolerend substraat dat op de kringsraad wordt geplaatst en dat een spaanderholte voor het huisvesten van de halfgeleiderspaander heeft. Door middel van de tweede elektrisch geleidende ballen die op het eerste isolerende substraat worden geplaatst, sla geproduceerd in de halfgeleiderspaander efficiënt buiten wordt bevrijd, waarbij een verhoging van temperatuur van de halfgeleiderspaander wordt verhinderd.

 
Web www.patentalert.com

< Ink-jet recording liquid and process for producing the same

< Method of manufacturing semiconductor capacitor

> Cast steel and steel material with excellent workability, method for processing molten steel therefor and method for manufacturing the cast steel and steel material

> Method for manufacturing a semiconductor device that includes planarizing with a grindstone that contains fixed abrasives

~ 00124