An integrated silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon
waveguide, and a method of manufacturing it. The silicon mesa waveguide is
integrated in a glass-on-silicon waveguide composed of a wave-guiding core
between lower and upper sheath layers having a refractive index lower than
the index of the wave-guiding core. The silicon mesa structure is
preferably made of the silicon substrate, and a low loss silicon mesa
waveguide is formed by removing excess material below the mesa structure.
Further, transitions between the glass-on-silicon waveguide the the
silicon mesa waveguide section are preferably formed such that
transmission of light passing the transitions is adiabatic.
Eine integrierte Silikon-MESA Struktur integrierte in einem Glas-auf-Silikon Wellenleiter und in einer Methode der Herstellung es. Der Silikon-MESA Wellenleiter wird in einem Glas-auf-Silikon Wellenleiter integriert, der niedriger aus einem wellenartig bewegen-leitenden Kern zwischen den untereren und oberen Hülle besteht Schichten, die einen Brechungsindex als der Index des wellenartig bewegen-leitenden Kernes haben. Die Silikon-MESA Struktur wird vorzugsweise vom Silikonsubstrat gebildet, und ein niedriger Verlustsilikon-MESA Wellenleiter wird gebildet, indem man überschüssiges Material unterhalb der MESA Struktur entfernt. Weiter werden Übergängen zwischen dem Glas-auf-Silikon Wellenleiter der Silikon-MESA Wellenleiterabschnitt vorzugsweise so gebildet, daß das Getriebe des Lichtes die Übergänge führend adiabatisch ist.
