An integrated ferroelectric/CMOS structure which comprises at least a
ferroelectric material, a pair of electrodes in contact with opposite
surfaces of the ferroelectric material, where the electrodes do not
decompose at deposition or annealing, and an oxygen source layer in
contact with at least one of said electrodes, said oxygen source layer
being a metal oxide which at least partially decomposes during deposition
and/or subsequent processing is provided as well as a method of
fabricating the same.
Eine integrierte ferroelectric/CMOS Struktur, die mindestens ein ferroelectric Material, ein Paar Elektroden in Verbindung mit gegenüberliegenden Oberflächen des ferroelectric Materials enthält, in dem die Elektroden nicht an der Absetzung oder am Ausglühen zerlegen und eine Sauerstoffquellschicht in Verbindung mit einer mindestens von besagten Elektroden, die besagte Sauerstoffquellschicht, die ein Metalloxid ist, das mindestens teilweise während der Absetzung und/oder der folgenden Verarbeitung zerlegt, wird zur Verfügung gestellt, sowie eine Methode des Fabrizierens dasselbe.
