Solder terminal and fabricating method thereof

   
   

A solder terminal and a fabrication method thereof are provided. According to one embodiment of the present invention, a solder terminal structure includes an adhesion metal layer formed on an electrode pad of a semiconductor device, a thermal diffusion barrier, a solder bonding layer, and a solder bump formed on upper portion of the solder bonding layer. With the thermal diffusion layer, the characteristic deterioration caused by the probe mark generated on the electrode pad can be prevented during a semiconductor reliability test, and at the same time, material movement between the layers of the electrode pad, the solder bonding layer and the adhesion metal layer can be reduced. Also, by having the thermal diffusion barrier act as a solder dam (a layer to confine the melted solder area to prevent the solder from being wetted), an additional deposition or etching process can be omitted.

Ένα τερματικό ύλης συγκολλήσεως και μια μέθοδος επεξεργασίας επ' αυτού παρέχονται. Σύμφωνα με μια ενσωμάτωση της παρούσας εφεύρεσης, μια τελική δομή ύλης συγκολλήσεως περιλαμβάνει ένα στρώμα μετάλλων προσκόλλησης που διαμορφώνεται σε ένα μαξιλάρι ηλεκτροδίων μιας συσκευής ημιαγωγών, ενός εμποδίου θερμικής διάχυσης, ενός συνδέοντας στρώματος ύλης συγκολλήσεως, και μιας πρόσκρουσης ύλης συγκολλήσεως που διαμορφώνεται στην ανώτερη μερίδα του συνδέοντας στρώματος ύλης συγκολλήσεως. Με το στρώμα θερμικής διάχυσης, η χαρακτηριστική επιδείνωση που προκαλείται από το σημάδι ελέγχων που παράγεται στο μαξιλάρι ηλεκτροδίων μπορεί να αποτραπεί κατά τη διάρκεια μιας δοκιμής αξιοπιστίας ημιαγωγών, και συγχρόνως, υλική μετακίνηση μεταξύ των στρωμάτων του μαξιλαριού ηλεκτροδίων, το συνδέοντας στρώμα ύλης συγκολλήσεως και το στρώμα μετάλλων προσκόλλησης μπορούν να μειωθούν. Επίσης, με την κατοχή της πράξης εμποδίων θερμικής διάχυσης ως φράγμα ύλης συγκολλήσεως (ένα στρώμα για να περιορίσει τη λειωμένη περιοχή ύλης συγκολλήσεως για να αποτρέψει την ύλη συγκολλήσεως από το βρέξιμο), μια πρόσθετη απόθεση ή τη χάραξη της διαδικασίας μπορεί να παραλειφθεί.

 
Web www.patentalert.com

< Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the capacitor

< Microelectronic device layer deposited with multiple electrolytes

> Non-leaded semiconductor package and method of fabricating the same

> Semiconductor device with under bump metallurgy and method for fabricating the same

~ 00125