Die singulation using deep silicon etching

   
   

A method for separating dies on a wafer includes etching channels around the dies on a first side of the wafer, mounting the first side of the wafer to a quartz plate with an UV adhesive, and grinding a second side of the wafer until the channels are exposed on the second side of the wafer. At this point, the dies are separated but held together by the UV adhesive on the quartz plate. The method further includes mounting a second side of the wafer to a tack tape, exposing UV radiation through the quartz plate to the UV adhesive. At this point, the UV adhesive looses its adhesion so the dies are held together by the tack tape. The method further includes dismounting the quartz plate from the first side of the wafer and picking up the individual dies from the tack tape.

Um método para separar dados em um wafer inclui as canaletas gravura a água-forte em torno dos dados em um primeiro lado do wafer, montagem o primeiro lado do wafer a uma placa de quartzo com um adesivo UV, e moer um segundo lado do wafer até que as canaletas estejam expostas no segundo lado do wafer. Neste momento, os dados são separados mas mantidos junto pelo adesivo UV na placa de quartzo. O método mais adicional inclui a montagem de um segundo lado do wafer a uma fita adesiva da aderência, expondo a radiação UV através da placa de quartzo ao adesivo UV. Neste momento, o adesivo UV afrouxa sua adesão assim que os dados são mantidos junto pela fita adesiva da aderência. O método mais adicional inclui desmontar a placa de quartzo do primeiro lado do wafer e escolhê-la acima dos dados individuais da fita adesiva da aderência.

 
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