A process for manipulating particles distributed substantially
non-uniformly in a plasma of a carrier or reaction gas, wherein Coulomb
interaction between the particles is so low that the particles
substantially do not form a plasmacrystalline state, and the particles are
exposed in a location-selective manner to external adjustment forces
and/or the plasma conditions are subjected to a location-selective change
to apply at least a portion of the particles onto a substrate surface
mask-free and/or subject it to a location-selective plasma treatment in
the carrier or reaction gas.
Un procédé pour manoeuvrer des particules distribuées essentiellement non-uniformly dans un plasma d'un porteur ou le gaz de réaction, où l'interaction de coulomb entre les particules est si basse que les particules sensiblement ne forment pas un état de plasmacrystalline, et les particules sont exposés d'une façon endroit-sélective aux forces externes d'ajustement et/ou les conditions de plasma sont soumis à un changement endroit-sélectif pour appliquer au moins une partie des particules sur une surface de substrat masque-libre et/ou soumise il à un traitement endroit-sélectif de plasma dans le porteur ou le gaz de réaction.
