The portion of a lower-layer wiring contacting with a metal film in a via
hole is a copper silicide layer. Moreover, a laminated structure of a
titanium-nitride-silicide layer and a titanium nitride film or the
laminated structure of a metal film, titanium-nitride-silicide layer, and
titanium nitride film is formed between an insulating film and a wiring
copper film embedded in a concave portion formed in the insulating film.
A parcela de uma fiação da baixo-camada que contata com uma película do metal em a através do furo é uma camada de cobre do silicide. Além disso, uma estrutura laminada de uma camada do titânio-nitride-titanium-nitride-silicide e uma película titanium do nitride ou a estrutura laminada de uma película do metal, de uma camada do titânio-nitride-titanium-nitride-silicide, e da película titanium do nitride é dada forma entre uma película isolando e uma película do cobre da fiação encaixadas em uma parcela côncava dada forma na película isolando.
