A radiometric quality semiconductor photodiode with one electrical contact
extending from a p-n junction at the photodiode surface to the back of the
photodiode substrate and a second contact formed on the back of the
semiconductor substrate is provided and a method for manufacturing is
presented. The electrical contact channel extending from the p-n junction
to the photodiode substrate will be formed by dry etching and will require
a cross sectional area of only 0.125 mm.times.0.125 mm.
Um fotodiodo radiometric do semicondutor da qualidade com o um contato elétrico que estendem de uma junção do p-n na superfície do fotodiodo à parte traseira da carcaça do fotodiodo e um segundo contato deu forma na parte traseira da carcaça do semicondutor é fornecido e um método para o manufacturing é apresentado. A canaleta do contato elétrico que estende da junção do p-n à carcaça do fotodiodo será dada forma gravura a água-forte seca e requererá uma área secional transversal de somente 0.125 mm.times.0.125 milímetro.
