A semiconductor package has a substrate comprising a thermosetting resin
layer of an approximate planar plate, a plurality of copper patterns
formed at top and bottom surfaces of the resin layer, and protective
layers coated on predetermined regions of the copper patterns and the
thermosetting layer and having a same height at a surface of the resin
layer. A semiconductor die is coupled to a center of the top surface of
the substrate. A plurality of conductive wires for electrically coupling
the semiconductor die to the copper patterns is positioned at the top
surface of the resin layer. An encapsulant is used for covering the
semiconductor die located at the top surface of the substrate and the
conductive wires in order to protect them from the external environment. A
plurality of solder balls is coupled to the bottom surface of the
substrate.
Un paquet de semi-conducteur a un substrat comporter une couche thermodurcissable de résine d'un plat planaire approximatif, une pluralité de modèles de cuivre a formé en haut et les fonds de la couche de résine, et les couches protectrices ont enduit sur des régions prédéterminées des modèles de cuivre et de la couche thermodurcissable et d'avoir une même taille sur une surface de la couche de résine. Une matrice de semi-conducteur est couplée à un centre de la surface supérieure du substrat. Une pluralité de fils conducteurs pour coupler électriquement la matrice de semi-conducteur aux modèles de cuivre est placée sur la surface supérieure de la couche de résine. Un encapsulant est employé pour couvrir la matrice de semi-conducteur située à la surface supérieure du substrat et des fils conducteurs afin de les protéger contre l'environnement externe. Une pluralité de boules de soudure est couplée sur le fond du substrat.
