The present invention provides a MOSFET having a low on-state resistance
and a high withstand voltage as well as a small output capacitance (C(gd),
etc.). The MOSFET has a p-type base layer 4 and a n-type source layer 5
selectively formed on the surface of the p-type base layer 4. A n-type
drain layer 7 is formed in a position apart from the p-type base layer 4.
On the surface of the region between the p-type base layer 4 and the
n-type drain layer 7, a n-type drift semiconductor layer 12 and a p-type
drift semiconductor layer 13 are alternately arranged from the p-type base
layer 4 to the n-type drain layer 7. Further, in the region between the
n-type source layer 5 and the n-type drain layer 7, a gate electrode 15 is
formed via a gate insulating film 14. With the structure, the neighboring
region of the gate electrode is depleted by a built in potential between
the n-type drift semiconductor layer 12 and the p-type drift semiconductor
layer 13 or by the potential of the gate electrode, when the gate
electrode, source electrode, and drain electrode are at 0 potential.
A invenção atual fornece um MOSFET que tem uma resistência baixa do em-estado e uma alta tensão do withstand as.well.as uma capacidade de saída pequena (C(gd), etc.). O MOSFET tem um p-tipo camada baixa 4 e um n-tipo camada 5 da fonte dada forma seletivamente na superfície do p-tipo camada baixa 4. Um n-tipo camada 7 do dreno é dado forma em uma posição aparte do p-tipo camada baixa 4. Na superfície da região entre o p-tipo camada baixa 4 e o n-tipo camada 7 do dreno, um n-tipo camada 12 do semicondutor da tração e um p-tipo camada 13 do semicondutor da tração são arranjados alternadamente do p-tipo camada baixa 4 ao n-tipo camada 7 do dreno. Mais mais, na região entre o n-tipo camada 5 da fonte e o n-tipo drene a camada 7, um elétrodo de porta 15 é dado forma através de uma película isolando 14 da porta. Com a estrutura, a região neighboring do elétrodo de porta está esgotada pelo construído no potencial entre o n-tipo camada 12 do semicondutor da tração e o p-tipo camada 13 do semicondutor da tração ou pelo potencial do elétrodo de porta, quando o elétrodo de porta, o elétrodo da fonte, e o elétrodo do dreno estão em 0 potenciais.
