A photomask and method for eliminating design rule violations from the
photomask are disclosed. A photomask includes a substrate and a patterned
layer formed on at least a portion of the substrate. The patterned layer
may be formed using a mask pattern file created by comparing a feature
dimension in a mask layout file with a design rule in a technology file,
identifying a design rule violation if the feature dimension is less than
the design rule and automatically correcting the identified design rule
violation in the mask layout file.
Een photomask en een methode om de schendingen van de ontwerpregel van photomask worden te elimineren onthuld. Een photomask omvat een substraat en een gevormde laag die op minstens een gedeelte van het substraat wordt gevormd. De gevormde laag kan worden gevormd gebruikend een dossier van het maskerpatroon dat door een eigenschapdimensie in een dossier van de maskerlay-out met een ontwerpregel te vergelijken die wordt gecreeerd in een technologiedossier, een schending identificeert van de ontwerpregel als de eigenschapdimensie minder dan de ontwerpregel en automatisch het verbeteren van de geïdentificeerde schending van de ontwerpregel in het dossier van de maskerlay-out is.
