A ROM embedded DRAM provides ROM cells that can be programmed to a single
state. The ROM cells include capacitors having a storage node. The storage
node is processed to have a substantially high substrate leakage. The ROM
cells, therefore, are hard programmed to a logic zero state. Bias
techniques can be used to read un-programmed ROM cells accurately. As
described, sense amplifier circuitry can be offset in one embodiment to
default to the un-programmed state. In another embodiment, bias circuitry
is coupled to bit lines to favor the un-programmed state. A differential
pre-charge operation can also be used in another embodiment.
Um DRAM encaixado ROM fornece as pilhas da ROM que podem ser programadas a um único estado. As pilhas da ROM incluem os capacitores que têm um nó do armazenamento. O nó do armazenamento é processado para ter um escapamento substancialmente elevado da carcaça. As pilhas da ROM, conseqüentemente, são programadas duramente a uma lógica zero estados. As técnicas diagonais podem ser usadas ler exatamente pilhas un-programadas da ROM. Como descritos, os circuitos do amplificador do sentido podem ser deslocados em uma incorporação para optar o estado un-programado. Em uma outra incorporação, os circuitos diagonais são acoplados às linhas do bocado para favorecer o estado un-programado. Uma operação diferencial da pré-carga pode também ser usada em uma outra incorporação.
