Charged particle processing for forming pattern boundaries at a uniform thickness

   
   

In the processing method of the present invention, there is implemented irradiation with a charged particle beam in such a manner that, when executing processing in a uniform manner, when deposition processing or etching processing of a prescribed pattern is carried out using a charged particle beam apparatus, a region of the pattern to be processed is divided up into microscopic regions corresponding to the diameter of the beam, and regulation is performed by scanning circuits etc. with processing proceeding simultaneously for a plurality of patterns within the scanning region in such a manner that the dose amount for each microscopic region becomes equal.

Nel metodo di lavorazione di presente invenzione, ci è irradiazione effettuata con un fascio caricato della particella in maniera tale che quando esegua l'elaborazione in un modo dell'uniforme, quando il deposito che procede o che incide l'elaborazione all'acquaforte di un modello prescritto è effettuato per mezzo di un'apparecchiatura caricata del fascio della particella, una regione del modello da procedere sia divisa nelle regioni microscopiche che corrispondono al diametro del fascio e la regolazione sia effettuata esplorando i circuiti ecc. con continuare d'elaborazione simultaneamente per una pluralità di modelli all'interno della regione di esame in maniera tale che la quantità della dose per ogni regione microscopica diventi uguale.

 
Web www.patentalert.com

< Memory device having a semiconducting polymer film

< Sol-gel coating

> Methods of forming regions of differing composition over a substrate

> Molecular memory device

~ 00127