Sol-gel coating

   
   

A sol-gel coating material, containing (A) an acrylate copolymer solution, consisting of at least one acrylate copolymer; (B) a parent lacquer which can be produced by the hydrolysis and condensation of at least one hydrolysable silane of the formula (I): SiR.sub.4 ; wherein: R=hydrolysable groups, hydroxy groups and non-hydrolysable groups, with the proviso that there should be at least one hydrolysable group; and (C) a sol which can be produced by the hydrolysis, condensation and complexing of (C1) at least one hydrolysable metal compound of the (II): MR.sub.n ; wherein: M=aluminium, titanium or zirconium, R=the aforementioned given groups and n=3 or 4; of (C2) at least one organic thio compound of the formula (III): S(R.sup.1 X).sub.2, wherein R.sup.1 represents a two-bond organic radical and X represents hydroxyl, thiol and/or primary and/or secondary amino groups; and of (C3) a hydrolysable silane of the general formula (I).

Материал соленоид-gel4 покрывая, содержа (A) разрешение сополимера акрилита, consist of по крайней мере один сополимер акрилита; (B) лак родителя может быть произведен гидролизом и конденсацией по крайней мере одного hydrolysable силана формулы (i): SiR.sub.4; при котором: Группы R=hydrolysable, окси группы и нон-non-hydrolysable группы, with the proviso that должны по крайней мере одна hydrolysable группа; и (C) соленоид может быть произведен гидролизом, конденсацией и complexing (C1) по крайней мере одной hydrolysable смеси металла (ii): MR.sub.n; при котором: M=aluminium, титан или цирконий, группы R=the вышесказанные, котор дали и n=3 или 4; (c2) по крайней мере одной органической смеси thio формулы (iii): S(R.sup.1 X).sub.2, при котором R.sup.1 представляет 2-skrepl4ht органический радикал и х представляют гидроксил, тиол and/or первичные and/or вторичные амино группы; и (C3) hydrolysable силана вообще формулы (i).

 
Web www.patentalert.com

< Method for separation of particles

< Memory device having a semiconducting polymer film

> Charged particle processing for forming pattern boundaries at a uniform thickness

> Methods of forming regions of differing composition over a substrate

~ 00148