EUV lithography devices do indeed have a vacuum or an inert gas atmosphere
in their interior, yet the appearance of hydrocarbons and/or other carbon
compounds within the device cannot be fully prevented. These carbon
compounds lead to the contamination of the optical elements and a
resulting loss in reflectivity. In order to counteract this, it has been
suggested that while operating the EUV lithography device, the degree of
contamination should be constantly monitored, e.g. using quartz crystal
microwaves. Depending on the degree of contamination, oxygen is supplied
to the interior of the lithography device. The oxygen, in combination with
exposure radiation breaks down the contamination while the lithography
device is running. The EUV lithography device is thereby equipped with at
least one measuring device (3) and a connected control unit (4), which is
connected to the oxygen supply (5a).
Os dispositivos do lithography de EUV têm certamente um vácuo ou uma atmosfera do gás inerte em seu interior, contudo a aparência dos hidrocarbonetos e/ou dos outros compostos do carbono dentro do dispositivo não pode inteiramente ser impedida. Estes compostos do carbono conduzem à contaminação dos elementos óticos e de uma perda resultante no reflectivity. A fim neutralizar este, sugeriu-se que ao operar o dispositivo do lithography de EUV, o grau de contaminação deve constantemente ser monitorado, por exemplo usando microondas do cristal de quartzo. Dependendo do grau de contaminação, o oxigênio é fornecido ao interior do dispositivo do lithography. O oxigênio, em combinação com a radiação da exposição quebra abaixo a contaminação quando o dispositivo do lithography funcionar. O dispositivo do lithography de EUV é equipado desse modo com ao menos o um dispositivo de medição (3) e uma unidade de controle conectada (4), que seja conectada à fonte do oxigênio (5a).
