The invention has such a double hetero structure (11) that an active layer
(3) is sandwiched by an n-type clad layer (2) and a p-type clad layer (4)
on a semiconductor substrate (1) made of GaAs. In the p-type clad layer
(4), for example, an n-type current constriction layer (6) consisting of
at least two layers is provided in such a configuration that a first layer
(6a) thereof closer to the active layer is made of a material having
almost the same refractive index as the p-type clad layer and a second
layer (6b) thereof farther from the active layer is made of a material
having a smaller refractive index than the first layer (6a). By this
configuration, a self-excitement type and high-power semiconductor laser
can be obtained which operates in a stable manner up to a high power
without generating a kink while being self-excited at a low power. Another
embodiment of the invention comprises a current constriction layer having
an n-type in which a stripe trench is formed in the p-type clad layer, and
a light confinement layer having a smaller refractive index than the
p-type clad layer is formed at the current constriction layer facing the
active layer, so as to be of a p-type or non-doped type. By this
configuration, a semiconductor laser can be obtained which operates up to
a high power without generating a kink.
A invenção tem uma estrutura tão dobro do hetero (11) que uma camada ativa (3) está imprensada por um n-tipo camada clad (2) e um p-tipo camada clad (4) em uma carcaça do semicondutor (1) fêz do GaAs. No p-tipo camada clad (4), para o exemplo, um n-tipo camada atual do constriction (6) que consiste ao menos em duas camadas é fornecido em tal configuração que uma primeira camada (6a) disso mais perto da camada ativa está feita de um material que tem quase o mesmo índice refractive que o p-tipo camada clad e uma segunda camada (6b) disso mais distante da camada ativa são feitos de um material que tem um índice refractive menor do que a primeira camada (6a). Por esta configuração, um tipo do self-excitamento e um laser high-power do semicondutor podem ser obtidos que se opere em uma maneira estável até um poder elevado sem gerar uma torção ao self-ser excitado em um poder baixo. Uma outra incorporação da invenção compreende uma camada atual do constriction que têm um n-tipo em que uma trincheira do listra é dada forma no p-tipo camada clad, e uma camada clara do confinamento que tem um índice refractive menor do que o p-tipo camada clad é dado forma na camada atual do constriction que enfrenta a camada ativa, para ser de um p-tipo ou de um tipo non-non-doped. Por esta configuração, um laser do semicondutor pode ser obtido que se opere até um poder elevado sem gerar uma torção.
