A semiconductor laser includes a resonant cavity with a cavity length, an
active layer structure provided within the resonant cavity and configured
to radiate light in an optical gain distribution having a peak wavelength,
an embedding layer provided within the resonant cavity and having a
refractive index, and a diffraction grating embedded within the embedding
layer and having a bandgap wavelength and a refractive index, the
diffraction grating configured to select an emission wavelength of the
resonant cavity independently of the peak wavelength in the optical gain
distribution of the active layer structure. The embedding layer and
diffraction grating are configured to provide operational characteristics
satisfying the relationship 0<.lambda.e-.lambda.g.ltoreq.100 nm, where
.lambda.e is the emission wavelength of the resonant cavity .lambda.g is
the bandgap wavelength of the diffraction grating. In addition, a
difference in the refractive index of the diffraction grating and the
embedding layer satisfies the relationship 0.29
Лазер полупроводника вклюает резонирующую полость с длиной полости, активно структурой слоя обеспеченной внутри резонирующая полость и установленной для того чтобы излучать свет в оптически распределении увеличения имея пиковую длину волны, врежа слой обеспеченный внутри резонирующая полость и имея рефрактивный индекс, и решетку огибания врезанную в пределах врежа слоя и иметь длину волны bandgap и рефрактивный индекс, решетку огибания установленную для того чтобы выбрать длину волны излучения резонирующей полости независимо пиковой длины волны в оптически распределении увеличения активно структуры слоя. Врежа решетка слоя и огибания установлена для того чтобы обеспечить рабочие характеристики удовлетворяя отношение 0
