A quantum dot vertical cavity surface-emitting laser has a low threshold
gain. Top and bottom mirrors have a low mirror loss, with at least one of
the mirrors being laterally oxidized to form semiconductor/oxide mirror
pairs. In one embodiment, mode control layers reduce the optical field
intensity in contact layers, reducing optical absorption. In one
embodiment, delamination features are included to inhibit the tendency of
laterally oxidized mirrors from delaminating.
Un laser superficie-que emite de la cavidad vertical del punto del quántum tiene un aumento bajo del umbral. Los espejos superiores e inferiores tienen una pérdida baja del espejo, con por lo menos uno de los espejos que son oxidados lateralmente para formar pares del espejo de semiconductor/oxide. En una encarnación, las capas del control del modo reducen la intensidad de campo óptica en las capas del contacto, reduciendo la absorción óptica. En una encarnación, las características de la delaminación se incluyen para inhibir la tendencia de espejos lateralmente oxidados de delaminating.
